2.5磁控濺射magnetronsputtering：借助于靶表面上形成的正交電磁場(chǎng)，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域，來(lái)增強(qiáng)電離效率，增加離子密度和能量，因而可在低電壓，大電流下取得很高濺射速率。

2.6等離子體化學(xué)氣相沉積;PCVDplasmachemistryvapordeposition：通過(guò)放電產(chǎn)生的等離子體促進(jìn)氣相化學(xué)反應(yīng)，在低溫下，在基片上制取膜層的一種方法。

2.7空心陰極離子鍍HCDhollowcathodedischargedeposition：利用空心陰極發(fā)射大量的電子束，使坩堝內(nèi)鍍膜材料蒸發(fā)并電離，在基片上的負(fù)偏壓作用下，離子具有較大能量，沉積在基片表面上的一種鍍膜方法。

2.8電弧離子鍍arcdischargedeposition：以鍍膜材料作為靶極，借助于觸發(fā)裝置，使靶表面產(chǎn)生弧光放電，鍍膜材料在電弧作用下，產(chǎn)生無(wú)熔池蒸發(fā)并沉積在基片上的一種真空鍍膜方法。

3專用部件

3.1鍍膜室coatingchamber：真空鍍膜設(shè)備中實(shí)施實(shí)際鍍膜過(guò)程的部件

3.2蒸發(fā)器裝置evaporatordevice：真空鍍膜設(shè)備中包括蒸發(fā)器和全部為其工作所需要的裝置(例如電能供給、供料和冷卻裝置等)在內(nèi)的部件。

3.3蒸發(fā)器evaporator：蒸發(fā)直接在其內(nèi)進(jìn)行蒸發(fā)的裝置,例如小舟形蒸發(fā)器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等等,必要時(shí)還包括蒸發(fā)材料本身。

3.4直接加熱式蒸發(fā)器evaporatorbydirectheat：蒸發(fā)材料本身被加熱的蒸發(fā)器。

3.5間接加熱式蒸發(fā)器evaporatorbyindirectheat：蒸發(fā)材料通過(guò)熱傳導(dǎo)或熱輻射被加熱的蒸發(fā)器。

3.6蒸發(fā)場(chǎng)evaporationfield：由數(shù)個(gè)排列的蒸發(fā)器加熱相同蒸發(fā)材料形成的場(chǎng)。

3.7濺射裝置sputteringdevice：包括靶和濺射所必要的輔助裝置(例如供電裝置,氣體導(dǎo)入裝置等)在內(nèi)的真空濺射設(shè)備的部件。

3.8靶target：用粒子轟擊的面。本標(biāo)準(zhǔn)中靶的意義就是濺射裝置中由濺射材料所組成的電極。

3.9擋板shutter：用來(lái)在時(shí)間上和(或)空間上限制鍍膜并借此能達(dá)到一定膜厚分布的裝置。擋板可以是固定的也可以是活動(dòng)的。

3.10時(shí)控?fù)醢錿imingshutter：在時(shí)間上能用來(lái)限制鍍膜,因此從鍍膜的開(kāi)始、中斷到結(jié)束都能按規(guī)定時(shí)刻進(jìn)行的裝置。

3.11掩膜mask：用來(lái)遮蓋部分基片,在空間上能限制鍍膜的裝置。

3.12基片支架substrateholder：可直接夾持基片的裝置,例如夾持裝置,框架和類似的夾持器具。

3.13夾緊裝置clamp：在鍍膜設(shè)備中用或不用基片支架支承一個(gè)基片或幾個(gè)基片的裝置,例如夾盤(pán),夾鼓,球形夾罩,夾籃等。夾緊裝置可以是固定的或活動(dòng)的(旋轉(zhuǎn)架,行星齒輪系等)。

3.14換向裝置reversingdevice：在真空鍍膜設(shè)備中,不打開(kāi)設(shè)備能將基片、試驗(yàn)玻璃或掩膜放到理想位置上的裝置(基片換向器,試驗(yàn)玻璃換向器,掩膜換向器)。

3.15基片加熱裝置substrateheatingdevice：在真空鍍膜設(shè)備中,通過(guò)加熱能使一個(gè)基片或幾個(gè)基片達(dá)到理想溫度的裝置。

3.16基片冷卻裝置substratecoldingdevice：在真空鍍膜設(shè)備中,通過(guò)冷卻能使一個(gè)基片或幾個(gè)基片達(dá)到理想溫度的裝置。

4真空鍍膜設(shè)備

4.1真空鍍膜設(shè)備vacuumcoatingplant：在真空狀態(tài)下制取膜層的設(shè)備。

4.1.1真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備vacuumevaporationcoatingplant：借助于蒸發(fā)進(jìn)行真空鍍膜的設(shè)備。

4.1.2真空濺射鍍膜設(shè)備vacuumsputteringcoatingplant：借助于真空濺射進(jìn)行真空鍍膜的設(shè)備。

4.2連續(xù)鍍膜設(shè)備continuouscoatingplant：被鍍膜物件(單件或帶材)連續(xù)地從大氣壓經(jīng)過(guò)壓力梯段進(jìn)入到一個(gè)或數(shù)個(gè)鍍膜室，再經(jīng)過(guò)相應(yīng)的壓力梯段，繼續(xù)離開(kāi)設(shè)備的連續(xù)式鍍膜設(shè)備。

4.3半連續(xù)鍍膜設(shè)備semi-continuouscoatingplant：被鍍物件通過(guò)閘門(mén)送進(jìn)鍍膜室并從鍍膜室取出的真空鍍膜設(shè)備。